تيار الجامع Ic يكون دائما أقل من تيار الباعث IE بمقدار تيار القاعدة IB وذلك بسبب حصول عملية إعادة الالتحام التي تحصل في منطقة القاعدة بين الفجوات والالكترونات
أن الترانزستور نوع pnp يمكن أن يمثل ربط pn ننائيين باتجاهين متعاكسين وكذلك الحال للترانزسترر npn كما في الشكل المجاور
استعمال الترانزستور كمضخم
المضخم pnp ذو القاعدة المشتركة القاعدة المؤرضة
دائرة الدخول (دائرة الباعث - قاعدة) ممانعتها صغيرة جدا (لان ملتقى الباعث - قاعدة يكون محيزا باتجاه امامي) ودائرة الخروج (دائرة الجامع - قاعدة) تكون ممانعتها كبيرة جدا (لان ملتقى الجامع قاعدة
المضخم pnp ذو الباعث المشترك الباعث المؤرض
القاعدة تكون بجهد سالب نسبة إلى الباعث والجامع يكون بجهد سالب نسبة إلى كل من الباعث والقاعدة
تتميز دائرة المضخم pnp ذي الباعث المشترك الباعث المؤرض
في دائرة الترانزستور كمضخم ذي القاعد المشتركة (القاعدة مورضة) إذا كان تيار الباعث IE=3mA وتيار الجامع mA Ic=2.94 ومقاومة الدخول Rin=500 ومقاومة الخروج Rout=400k احسب: 1- ربح التيار (a) Cur
في دائرة الترانزستور كمضخم ذي القاعدة المشتركة (القاعدة مؤرضة) إذا كان ربح القدرة G=768 وتكبير الفولطية (ربح الفولطية) يساوي Av=784 وتيار الباعث (IE=3×10-3A) جد تيار القاعدة (IB)